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抵抗(ていこう)率(りつ)の温度(おんど)変化(へんか)

カンガルー先生電熱(でんねつ)線(せん)や金属(きんぞく)線(せん)の抵抗(ていこう)は、温度(おんど)が上(あ)がるとR=R0(1+αt)で少(すこ)しずつ大(おお)きくなるよ。

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  1. 金属(きんぞく)の抵抗(ていこう)率(りつ)(新しいタブで開きます)は温度(おんど)が上(あ)がるとほぼ比例(ひれい)して大(おお)きくなり、ρt=ρ0(1+αt)(ρ0は0℃の抵抗(ていこう)率(りつ)、αは温度(おんど)係数(けいすう))で近似(きんじ)できる。
  2. 温度(おんど)係数(けいすう)αは物質(ぶっしつ)ごとに決(き)まる値(あたい)で、同(おな)じ形(かたち)の金属(きんぞく)線(せん)の抵抗(ていこう)RもRt=R0(1+αt)R_t=R_0(1+\alpha t)で温度(おんど)変化(へんか)する。
  3. 温度(おんど)が上(あ)がると金属(きんぞく)イオン(新しいタブで開きます)の熱(ねつ)振動(しんどう)が激(はげ)しくなり、自由(じゆう)電子(でんし)(新しいタブで開きます)がぶつかりやすくなるために抵抗(ていこう)率(りつ)が大(おお)きくなる。

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詳しく

抵抗(ていこう)率(りつ)の温度(おんど)変化(へんか)の式(しき)

物理(ぶつり)基礎(きそ)・物理(ぶつり)の「電気(でんき)抵抗(ていこう)と抵抗(ていこう)率(りつ)」では、金属(きんぞく)の抵抗(ていこう)率(りつ)ρを物質(ぶっしつ)ごとに決(き)まった値(あたい)として扱(あつか)ってきた。実際(じっさい)には、同(おな)じ金属(きんぞく)でも温度(おんど)によって抵抗(ていこう)率(りつ)の値(あたい)は変(か)わる。金属(きんぞく)の抵抗(ていこう)率(りつ)は、温度(おんど)が上(あ)がるとほぼ比例(ひれい)して大(おお)きくなる。0℃での抵抗(ていこう)率(りつ)をρ0、温度(おんど)t〔℃〕における抵抗(ていこう)率(りつ)をρtとし、物質(ぶっしつ)ごとに決(き)まる温度(おんど)係数(けいすう)をαとすると、ρt=ρ0(1+αt)\rho_t=\rho_0(1+\alpha t)という式(しき)で近似(きんじ)できる。

導線(どうせん)の長(なが)さLと断面積(だんめんせき)Sが変(か)わらなければ抵抗(ていこう)はR=ρL/Sなので、抵抗(ていこう)Rについても同(おな)じ形(かたち)の式(しき)Rt=R0(1+αt)R_t=R_0(1+\alpha t)が成(な)り立(た)つ。実験(じっけん)では抵抗(ていこう)率(りつ)そのものより、電熱(でんねつ)線(せん)など決(き)まった形(かたち)の抵抗(ていこう)の値(あたい)を測(はか)ることが多(おお)い。

抵抗R(またはρ)は温度にほぼ比例して増えるAsatte Studio(Manazoo)/オリジナル(コードで作図)

例題(れいだい):温度(おんど)係数(けいすう)と抵抗(ていこう)の計算(けいさん)

例題(れいだい)1:0℃で5.0Ωの電熱(でんねつ)線(せん)(温度(おんど)係数(けいすう)α=4.0×10⁻³/℃)がある。20℃での抵抗(ていこう)は、Rt=R0(1+αt)R_t=R_0(1+\alpha t)=5.0×(1+4.0×10⁻³×20)=5.0×1.08=5.4Ω。

例題(れいだい)2:ある金属(きんぞく)線(せん)は0℃で10Ωであり、80℃に温(あたた)めると10.8Ωになった。10.8=10×(1+α×80)より1.08=1+80α、α=0.08÷80=1.0×10⁻³/℃と求(もと)まる。

0℃の5.0Ωが20℃では5.4ΩになるAsatte Studio(Manazoo)/オリジナル(コードで作図)

なぜ金属(きんぞく)は温度(おんど)が上(あ)がると抵抗(ていこう)率(りつ)が大(おお)きくなるのか

金属(きんぞく)の自由(じゆう)電子(でんし)は、金属(きんぞく)イオンがつくる格子(こうし)の間(あいだ)を動(うご)いて電流(でんりゅう)を担(にな)う。温度(おんど)が上(あ)がると格子(こうし)をつくるイオンの熱(ねつ)振動(しんどう)が激(はげ)しくなり、動(うご)き回(まわ)る自由(じゆう)電子(でんし)がイオンにぶつかる回数(かいすう)が増(ふ)える。そのため電流(でんりゅう)が流(なが)れにくくなり、抵抗(ていこう)率(りつ)が大(おお)きくなる。

半導体(はんどうたい)では、温度(おんど)が上(あ)がるとキャリアの数(かず)そのものが増(ふ)えるため、抵抗(ていこう)率(りつ)が逆(ぎゃく)に小(ちい)さくなる。このあと(半導体(はんどうたい)とpn接合(せつごう)ダイオード(新しいタブで開きます)のページ)で、金属(きんぞく)とは逆(ぎゃく)の性質(せいしつ)をもつ半導体(はんどうたい)を扱(あつか)う。

確認問題

問題 1 / 40℃で8.0Ωの金属(きんぞく)線(せん)がある。温度(おんど)係数(けいすう)が5.0×10⁻³/℃のとき、50℃での抵抗(ていこう)は何(なん)Ωか。

確認問題(解答用紙)

この問題を端末で解くための QR コード

スマホやタブレットで読み取ると、この問題をその場で解けます。

https://manazoo.com/science/resistivity-temperature-dependence/?from=print#quiz

  1. 0℃で8.0Ωの金属(きんぞく)線(せん)がある。温度(おんど)係数(けいすう)が5.0×10⁻³/℃のとき、50℃での抵抗(ていこう)は何(なん)Ωか。

    答え:____________

    正解:10
    Rt=R0(1+αt)R_t=R_0(1+\alpha t)=8.0×(1+5.0×10⁻³×50)=8.0×1.25=10Ω。

  2. 0℃で20Ωの抵抗(ていこう)が、温度(おんど)が上(あ)がって24Ωになった。温度(おんど)係数(けいすう)が4.0×10⁻³/℃のとき、何(なん)℃上(あ)がったか。

    答え:____________

    正解:50
    24=20×(1+αt)より1+αt=1.2、αt=0.2。t=0.2÷4.0×10⁻³=50℃。

  3. 金属(きんぞく)の抵抗(ていこう)率(りつ)は、温度(おんど)が上(あ)がるとどうなるか。

    • ◯ 0になる
    • ◯ 大(おお)きくなる
    • ◯ 変(か)わらない
    • ◯ 小(ちい)さくなる

    正解:大きくなる
    金属(きんぞく)では温度(おんど)が上(あ)がるとイオン(新しいタブで開きます)の熱(ねつ)振動(しんどう)が激(はげ)しくなり、自由(じゆう)電子(でんし)(新しいタブで開きます)がぶつかりやすくなるため、抵抗(ていこう)率(りつ)(新しいタブで開きます)は大(おお)きくなる。

  4. 0℃での抵抗(ていこう)率(りつ)ρ0が1.0×10⁻⁷Ω・mの金属(きんぞく)がある。温度(おんど)係数(けいすう)αが2.0×10⁻³/℃のとき、100℃での抵抗(ていこう)率(りつ)は何(なに)×10⁻⁷Ω・mか。

    答え:____________

    正解:1.2
    ρt=ρ0(1+αt)\rho_t=\rho_0(1+\alpha t)=1.0×(1+2.0×10⁻³×100)=1.0×1.2=1.2(×10⁻⁷Ω・m)。

単元のポイント

  • 温度(おんど)係数(けいすう)α 物質(ぶっしつ)ごとに決(き)まる値(あたい)。金属(きんぞく)はα>0(温度(おんど)が上(あ)がると抵抗(ていこう)率(りつ)が増(ふ)える)
  • ρt=ρ0(1+αt) 0℃の抵抗(ていこう)率(りつ)ρ0と温度(おんど)t〔℃〕から、温度(おんど)tでの抵抗(ていこう)率(りつ)ρtを求(もと)める式(しき)
  • 格子(こうし)振動(しんどう) 温度(おんど)が上(あ)がると金属(きんぞく)イオンの熱(ねつ)振動(しんどう)が激(はげ)しくなり、自由(じゆう)電子(でんし)がぶつかりやすくなる
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単元のポイント
  • 温度(おんど)係数(けいすう)α 物質(ぶっしつ)ごとに決(き)まる値(あたい)。金属(きんぞく)はα>0(温度(おんど)が上(あ)がると抵抗(ていこう)率(りつ)が増(ふ)える)
  • ρt=ρ0(1+αt) 0℃の抵抗(ていこう)率(りつ)ρ0と温度(おんど)t〔℃〕から、温度(おんど)tでの抵抗(ていこう)率(りつ)ρtを求(もと)める式(しき)
  • 格子(こうし)振動(しんどう) 温度(おんど)が上(あ)がると金属(きんぞく)イオンの熱(ねつ)振動(しんどう)が激(はげ)しくなり、自由(じゆう)電子(でんし)がぶつかりやすくなる